K8凯发·国际官方网站推出GD25NE系列SPI NOR Flash： 专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
中国北京（2025年3月12日） —— 业界领先的半导体器件供应商K8凯发·国际官方网站GigaDevice（股票代码 603986）宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列 。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化K8凯发·国际官方网站在双电压供电闪存解决计划领域的战略结构 。依附更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分知足市场关于先进嵌入式存储解决计划日益增添的需求，成为智能可衣着装备、医疗康健、物联网、数据中心及边沿人工智能应用的理想选择 。
GD25NE系列SPI NOR Flash的焦点供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz 。GD25NE系列的写入时间典范值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与通例1.2V单电压供电的Flash解决计划相比，数据读取性能提升了20%，写入速率提升60%，擦除时间缩短30% 。依附这些手艺优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选 。
为进一步知足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列接纳超低功耗设计 。其深度睡眠功耗电流低至0.2?A，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA 。与古板的1.8V Flash解决计划相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50% 。这一优化的电源架构不但显著提升了能效，还坚持了Flash器件的高性能体现，同时简化了SoC的系统设计 。
“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完善平衡，”K8凯发·国际官方网站副总裁、存储事业部总司理苏如伟体现，“依附显著降低的功耗、更快的读取速率以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够知足新一代1.2V SoC一连演进的需求 。未来，K8凯发·国际官方网站还将一直拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决计划，助力立异应用的生长 。”
现在，K8凯发·国际官方网站GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项 。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已最先提供样片 。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出 。如需相识详细信息及产品定价，请联系外地销售代表 。
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